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型號:
STY60NK30Z
數(shù)量:
1200
廠商:
ST
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Newest
封裝:
TO-3P
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零件狀態(tài)在售
FET 類型N 溝道
技術(shù)MOSFET(金屬氧化物)
Drain to Source Voltage (Vdss)300V
電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時)60A(Tc)
驅(qū)動電壓(最大 Rds On,最小 Rds On)10V
不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值)4.5V @ 100μA
不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg)(最大值)220nC @ 10V
不同 Vds 時的輸入電容(Ciss)(最大值)7200pF @ 25V
Vgs(最大值)±30V
FET 功能-
功率耗散(最大值)450W(Tc)
不同 Id,Vgs 時的 Rds On(最大值)45 毫歐 @ 30A,10V
工作溫度-55°C ~ 150°C(TJ)
安裝類型通孔
供應(yīng)商器件封裝MAX247?
封裝/外殼TO-247-3

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